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OPTO-EDU A63.7010 EBL Electron Beam Lithography Machine

Machine de lithographie par faisceau d'électrons OPTO-EDU A63.7010 EBL

  • Mettre en évidence

    machine de lithographie par faisceau d'électrons EBL

    ,

    microscope à balayage par lithographie par faisceau d'électrons

    ,

    machine de lithographie OPTO-EDU A63.7010

  • Équipement standard
    Étape d'interféromètre laser
  • Voyage de scène
    ≤105 millimètres
  • Résolution de l'image
    ≤1nm@15kV ; ≤1,5 nm à 1 kV
  • Densité de courant du faisceau
    >5300A/cm2
  • Taille minimale du spot du faisceau
    ≤2 nm
  • Obturateur à faisceau électronique
    Temps de montée < 100 ns
  • Lieu d'origine
    Chine
  • Nom de marque
    CNOEC, OPTO-EDU
  • Certification
    CE,
  • Numéro de modèle
    A63.7010
  • Document
  • Quantité de commande min
    1 pièce
  • Prix
    FOB $1~1000, Depend on Order Quantity
  • Détails d'emballage
    Emballage de carton, pour le transport d'exportation
  • Délai de livraison
    180 jours
  • Conditions de paiement
    T / T, West Union, Paypal
  • Capacité d'approvisionnement
    mois de 5000 PCs

Machine de lithographie par faisceau d&#39;électrons OPTO-EDU A63.7010 EBL

Machine de lithographie par faisceau d&#39;électrons OPTO-EDU A63.7010 EBL 0
 
Machine de lithographie par faisceau d&#39;électrons OPTO-EDU A63.7010 EBL 1
Spécifications de la platine
Équipement standard Platine à interféromètre laser
Course de la platine 105 mm
Spécifications du canon à électrons et de l'imagerie
Canon à émission de champ Schottky Tension d'accélération 20V~ 30kVDétecteur d'électrons secondaires latéraux et
Détecteur d'électrons dans l'objectif
Résolution d'image  1nm@15kV; 1.5nm@1kV
Densité de courant du faisceau >5300 A/cm2
Taille minimale du spot du faisceau  2 nm
Spécifications de lithographie
Obturateur de faisceau d'électrons Temps de montée < 100 ns
Champ d'écriture 500x500 um
Largeur de ligne d'exposition unique minimale  10±2nm
Vitesse de balayage 25 MHz/ 50 MHz
Paramètres du générateur graphique
Cœur de contrôle FPGA haute performance
Vitesse de balayage maximale 50 MHz
Résolution N/A 20 bits
Tailles de champ d'écriture prises en charge 10 um~500 um
Support d'obturateur de faisceau 5VTTL
Incrément de temps de séjour minimum 10ns
Formats de fichiers pris en charge  GDSIl, DXF, BMP, etc.
Mesure du courant du faisceau par coupelle de Faraday  Inclus
Correction de l'effet de proximité Optionnel
Platine à interféromètre laser  Optionnel
Modes de balayage Séquentiel (type Z), Serpentine (type S), Spirale et autres modes de balayage vectoriel
Modes d'exposition Prend en charge l'étalonnage de champ, le raccordement de champ, la superposition et l'exposition automatique multicouche
Support de canal externe prend en charge le balayage par faisceau d'électrons, le mouvement de la platine, le contrôle de l'obturateur du faisceau et la détection d'électrons secondaires
 
Machine de lithographie par faisceau d&#39;électrons OPTO-EDU A63.7010 EBL 2
Machine de lithographie par faisceau d&#39;électrons OPTO-EDU A63.7010 EBL 3

Platine à interféromètre laser

Platine à interféromètre laser : Une platine à interféromètre laser avancée qui répond aux exigences de raccordement et de superposition de grande course et de haute précision

Canon à émission de champ

Un canon à émission de champ haute résolution est une garantie importante pour la qualité de la lithographie

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Machine de lithographie par faisceau d&#39;électrons OPTO-EDU A63.7010 EBL 5

Générateur graphique

Atteint une résolution ultra-haute résolutiondessin de motifs tout en assurant un balayage ultra-rapide


A63.7010 VS Raith 150 Two
Modèle d'appareil OPTO-EDU A63.7010 (Chine) Raith 150 Two (Allemagne)
Tension d'accélération (kV) 30 30
Diamètre minimum du spot du faisceau (nm) 2 1.6
Taille de la platine (pouces) 4 4
Largeur de ligne minimale (nm) 10 8
Précision de raccordement (nm) 50(35nm) 35
Précision de superposition (nm) 50(35nm) 35
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