Opto-EDU A63.7190 300000x Microscope électronique à dimension critique
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Taille de gaufretteA63.7190-68: 6/8 pouces
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Résolution2.5 nm (Acc=800V)
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Voltages d'accélération0.5-1.6KV
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RépétabilitéStatique et dynamique ±1% ou 3nm (3 Sigma)
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Courant de faisceau de sonde3 à 30 pA
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Plage de mesureVFO 0,1 à 2,0 μm
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Lieu d'origineChine
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Nom de marqueCNOEC, OPTO-EDU
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CertificationCE, Rohs
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Numéro de modèleA63.7190
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Document
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Quantité de commande min1 pour cent
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PrixFOB $1~1000, Depend on Order Quantity
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Détails d'emballageEmballage de carton, pour le transport d'exportation
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Délai de livraison5 à 20 jours
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Conditions de paiementT/T, union occidentale, Paypal
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Capacité d'approvisionnementmois de 5000 PCs
Opto-EDU A63.7190 300000x Microscope électronique à dimension critique
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Un microscope électronique de balayage à dimension critique (CD-SEM) est un SEM spécialisé utilisé pour mesurer les dimensions de minuscules caractéristiques sur des plaquettes de semi-conducteurs, des photomasques et d'autres matériaux.Ces mesures sont cruciales pour assurer la précision et la précision des appareils électroniques fabriqués.
Je ne sais pas.Compatible avec des plaquettes de 6/8 pouces Taille, grossissement 1000x-300000x Je ne sais pas.Résolution 2,5 nm (Acc=800V), Voltage d'accélération 500V à 1600V Je ne sais pas.Répétabilité statique et dynamique ± 1% ou 3 nm ((3 Sigma), courant de faisceau de sonde 3 ~ 30 pA Je ne sais pas.Conception d'un système de transfert de wafer à grande vitesse adapté aux puces semi-conducteurs de troisième génération Je ne sais pas.Systèmes d'optique électronique avancée et traitement d'images, y compris le refroidisseur, la pompe à sec |
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▶Principales caractéristiques Les CD-SEM utilisent un faisceau d'électrons à basse énergie et ont un étalonnage d'agrandissement amélioré pour assurer des mesures précises et répétables.et les angles des parois latérales des motifs. |
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▶Objectif Les CD-SEM sont essentiels pour la métrologie dans l'industrie des semi-conducteurs, car ils aident à mesurer les dimensions critiques (CD) des motifs créés lors des processus de lithographie et de gravure.Les CD désignent les plus petites tailles de caractéristiques pouvant être produites et mesurées de manière fiable sur une gaufre. |
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▶Applications Ces instruments sont utilisés dans les lignes de fabrication de dispositifs électroniques pour assurer la précision dimensionnelle des différentes couches et caractéristiques qui composent une puce.Ils jouent également un rôle crucial dans le développement et le contrôle des processus, permettant d'identifier et de corriger tout problème pouvant survenir au cours du processus de fabrication.
▶Importance Sans CD-SEM, la microélectronique moderne aurait du mal à atteindre le haut niveau de précision et de performance exigé par l'industrie.Ils sont indispensables pour assurer la fiabilité et la fonctionnalité des appareils électroniques modernes.. |
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▶Les changements technologiques Au fur et à mesure que les techniques de lithographie progressent et que les tailles des caractéristiques continuent de diminuer, les CD-SEM évoluent constamment pour répondre aux exigences de l'industrie.De nouvelles technologies et progrès dans le domaine des CD-SEM sont en cours de développement pour relever les défis de la mesure de modèles de plus en plus complexes |
| A63.7190 Microscope électronique à dimension critique à balayage (CDSEM) | ||
| Taille de la gaufre | A63.7190 à 68: 6/8 pouces | A63.7190 à 1212 pouces |
| Résolution | 2.5nm (Acc=800V) | 1Pour les appareils à commande numérique: |
| Voltages d'accélération | 0.5-1.6KV | 0.3-2.0KV |
| Répétabilité | La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à ± 1%. | La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à 0,3 nm (< 3 Sigma). |
| Courant de faisceau de sonde | 3 à 30 pA | 3 à 40 pA |
| Plage de mesure | VFO 0,1 à 2,0 μm | V.O.F. 0,05 à 2,0 μm |
| Débit | > 20 plaquettes/heure, | > 36 plaquettes/heure, |
| 1 point par jeton, | 1 point par jeton, | |
| 20 puces/plaquette | 20 puces/plaquette | |
| Magnification | 1Kx à 300Kx | 1Kx à 500Kx |
| Précision de la scène | 0.5 μm | |
| Source d'électrons | Émetteur de champ thermique Schottky | |
| Comparaison des principaux modèles CDSEM sur le marché | |||||
| Spécification | Hitachi | Hitachi | Hitachi | Opto-Edu | Opto-Edu |
| S8840 | S9380 | S9380 II | A63.7190 à 68 | A63.7190 à 12 | |
| 1. Taille de la galette | 6 pouces 8 pouces | 8 pouces / 12 pouces | 8 pouces / 12 pouces | 6 pouces 8 pouces | 12 pouces |
| 2Résolution | 5 nm (Acc=800V) | 2 nm (Acc=800V) | 2 nm (Acc=800V) | 2.5nm (Acc=800V) | 1Pour les appareils de traitement des ondes électriques |
| 3Voltage d' accélération | 500 à 1300 V | 300 à 1600 V | 300 à 1600 V | Pour les appareils à sous-vêtements | 300 à 2000 V |
| 4. Répétabilité (statique et dynamique) | ± 1% ou 5 nm ((3 sigma) | ± 1% ou 2 nm ((3 sigma) | ± 1% ou 2 nm ((3 sigma) | ± 1% ou 3 nm ((3 sigma) | ± 1% ou 0,3 nm ((3 sigma) |
| 5. Plage Ip (courant de la sonde) | 1 à 16 pA | 3 à 50 pA | 3 à 50 pA | 3 à 30 pA | 3 à 40 pA |
| 6. Taille de la VFO | - | 50 nm-2um | 0.05-2um | 0.1-2um | 0.05-2um |
| 7- À travers. | 26 plaquettes par heure, | 24 plaquettes par heure, | 24 plaquettes par heure, | > 20 plaquettes/heure, | 36 plaquettes par heure, |
| 1 point par jeton, | 1 point par jeton, | 1 point par jeton, | 1 point par jeton, | 1 point par jeton, | |
| 5 copeaux par galette | 20 copeaux par galette | 20 copeaux par galette | 20 copeaux par galette | 20 copeaux par galette | |
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